IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPS70R600P7SAKMA1

Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 1,08000

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Canale N 700 V 8,5 A (Tc) 43,1W (Tc) Foro passante PG-TO251-3

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IPSA70R600P7SAKMA1
Codice DigiKey	IPSA70R600P7SAKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPSA70R600P7SAKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 8,5 A (Tc) 43,1W (Tc) Foro passante PG-TO251-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPSA70R600P7SAKMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 90µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.5 nC @ 400 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 364 pF @ 400 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 43,1W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Contenitore del fornitore PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPSA70
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 1,8A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPS70R600P7SAKMA1	Infineon Technologies	21	448-IPS70R600P7SAKMA1-ND	€ 1,08000	Simile

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,75000	€ 0,75
10	€ 0,65000	€ 6,50
100	€ 0,45020	€ 45,02
500	€ 0,37618	€ 188,09
1 000	€ 0,32015	€ 320,15
2 000	€ 0,28514	€ 570,28
5 000	€ 0,27013	€ 1 350,65
10 000	€ 0,25012	€ 2 501,20

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