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TPD3215M | |
|---|---|
Codice DigiKey | TPD3215M-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TPD3215M |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 600V 70 A (Tc) 470W Foro passante Modulo |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 28nC a 8V |
Produttore Renesas Electronics Corporation | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2260pF a 100V |
Confezionamento Sfuso | Potenza - Max 470W |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio) | Tipo di montaggio Foro passante |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 600V | Contenitore del fornitore Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 30A, 8V |
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