TPD3215M Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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TPD3215M
Codice DigiKey	TPD3215M-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TPD3215M
Descrizione	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 600V 70 A (Tc) 470W Foro passante Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione	2 canali N (semiponte)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	600V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	34mohm a 30A, 8V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2260pF a 100V
Potenza - Max	470W
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	Modulo
Codice componente base	TPD3215