Name: TP65H480G4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H480G4JSG-TR-ND
Price: 2.257 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (5x6)

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TP65H480G4JSG-TR
Codice DigiKey	1707-TP65H480G4JSG-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H480G4JSG-CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H480G4JSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H480G4JSG-TR
Descrizione	GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 3,6 A (Tc) 13,2W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TP65H480G4JSG-TR Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 500µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±18V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 13,2W (Tc)
Tecnologia GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,6 A (Tc)	Contenitore del fornitore 3-PQFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V	Contenitore/involucro 3-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 560mohm a 3,4A, 8V	Codice componente base TP65H480