TP65H070LDG Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET singoli

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TP65H070LDG
Codice DigiKey	TP65H070LDG-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H070LDG
Descrizione	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 25 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,8V a 700µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.3 nC @ 10 V
Serie TP65H070L	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600 pF @ 400 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore 3-PQFN (8x8)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore/involucro 3-PowerDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TP65H070
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 16A, 10V

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