Name: TP65H035G4QS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4QSTR-ND
Price: 20.7522 EUR
Availability: InStock

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TP65H035G4QS
Codice DigiKey	1707-TP65H035G4QSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H035G4QSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H035G4QSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H035G4QS
Descrizione	650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 46,5 A (Tc) 156W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 41 mohm a 30A, 10V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) max a Id 4,8V a 1mA
Serie SuperGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 46,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN