Name: RJK0451DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0451DPB-00#J5TR-ND
Price: 2.8304 EUR
Availability: InStock

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RJK0451DPB-00#J5
Codice DigiKey	RJK0451DPB-00#J5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RJK0451DPB-00#J5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RJK0451DPB-00#J5
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 35 A (Ta) 45W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RJK0451DPB-00#J5 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2010 pF @ 10 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Ta)	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base RJK0451
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 17,5A, 10V

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Sostituti (2)

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