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NP52N055SUG-E1-AY | |
|---|---|
Codice DigiKey | NP52N055SUG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NP52N055SUG-E1-AY |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 52A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 52 A (Tc) 1,2W (Ta), 56W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (MP-3ZK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NP52N055SUG-E1-AY Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3200 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta), 56W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252 (MP-3ZK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 26A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (10)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFR2905ZTR | Infineon Technologies | 0 | AUIRFR2905ZTR-ND | € 0,78236 | Simile |
| AUIRLR3915 | Infineon Technologies | 0 | AUIRLR3915-ND | € 0,00000 | Simile |
| FDD13AN06A0 | onsemi | 85 | FDD13AN06A0CT-ND | € 2,31000 | Simile |
| IRFR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | 4 596 | IRFR2905ZPBFCT-ND | € 1,42000 | Simile |
| IRFR3806PBF | Infineon Technologies | 0 | IRFR3806PBF-ND | € 0,00000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,58354 | € 1 458,85 |
| 5 000 | € 0,55881 | € 2 794,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,58354 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,71192 |
