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NP110N03PUG-E1-AY | |
|---|---|
Codice DigiKey | NP110N03PUG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NP110N03PUG-E1-AY |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 110A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 110 A (Tc) 1,8W (Ta), 288W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NP110N03PUG-E1-AY Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 380 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 24600 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta), 288W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 55A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN1R5-30BLEJ | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1101-1-ND | € 4,49000 | Simile |
| STB200NF03T4 | STMicroelectronics | 790 | 497-6548-1-ND | € 3,12000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | € 2,35069 | € 1 880,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,35069 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,86784 |
