QS1200SCM36 Quest Semi | Prodotti a semiconduttore discreti

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QS1200SCM36
Codice DigiKey	5403-QS1200SCM36-ND
Produttore	Quest Semi
Codice produttore	QS1200SCM36
Descrizione	1200V 36AMP SiC Mosfet
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 36A 198W Foro passante PG-TO247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Quest Semi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	36A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,8V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	60 nC @ 600 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1001 pF @ 800 V
Dissipazione di potenza (max)	198W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C
Grado	Automobilistico
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3