Name: PJW2P10A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJW2P10A_R2_00001TR-ND
Price: 0.7076 EUR
Availability: InStock

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PJW2P10A_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJW2P10A_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJW2P10A_R2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJW2P10A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJW2P10A_R2_00001
Descrizione	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 1,5 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	650mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	448 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	PJW2P10A

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Nastrato in bobina (TR)