MOSFET - Array 30V 1,1 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
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PJS6833_S2_00001

Codice DigiKey
3757-PJS6833_S2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJS6833_S2_00001
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 1.1A SOT23-6
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 1,1 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1,3V a 250µA
Produttore
Panjit International Inc.
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1,6nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
125pF a 15V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
1,25W (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Contenitore/involucro
SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,1 A (Ta)
Contenitore del fornitore
SOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs
370mohm a 1,1A, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,07853€ 785,30
20 000€ 0,07775€ 1 555,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,07853
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,09581