MOSFET - Array 40V 10,6A (Ta), 37A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060B-8
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PJQ5948-AU_R2_002A1

Codice DigiKey
3757-PJQ5948-AU_R2_002A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
3757-PJQ5948-AU_R2_002A1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
3757-PJQ5948-AU_R2_002A1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
PJQ5948-AU_R2_002A1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 10,6A (Ta), 37A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060B-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13nC a 10V
Produttore
Panjit International Inc.
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
778pF a 25V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Potenza - Max
2,5W (Ta), 30W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Grado
Automobilistico
Configurazione
2 canali N (doppio)
Qualifica
AEC-Q101
Funzione FET
Porta a livello logico
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10,6A (Ta), 37A (Tc)
Contenitore del fornitore
DFN5060B-8
RDSon (max) a Id, Vgs
12,3mohm a 10A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,3V a 50µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Altre risorse
In magazzino: 2 704
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,15000€ 1,15
10€ 0,71800€ 7,18
100€ 0,47390€ 47,39
500€ 0,36878€ 184,39
1 000€ 0,33491€ 334,91
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,28912€ 867,36
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,15000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,40300