Canale N 30 V 20A (Ta), 115A (Tc) 2W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
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Canale N 30 V 20A (Ta), 115A (Tc) 2W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
DFN5060-8

PJQ5426_R2_00001

Codice DigiKey
3757-PJQ5426_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJQ5426_R2_00001
Descrizione
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 20A (Ta), 115A (Tc) 2W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4305 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 136W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
DFN5060-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
2,4mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,40286€ 1 208,58
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,40286
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,49149