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PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Panjit International Inc.
In magazzino: 4 220
Prezzo unitario : € 1,36000
Scheda tecnica
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Canale N 100 V 6,3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
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PJQ4476AP_R2_00001

Codice DigiKey
3757-PJQ4476AP_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Panjit International Inc.
Codice produttore
PJQ4476AP_R2_00001
Descrizione
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 6,3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Panjit International Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,3A (Ta), 35A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1519 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DFN3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
PJQ4476
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,29580€ 1 479,00
10 000€ 0,27593€ 2 759,30
15 000€ 0,27527€ 4 129,05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,29580
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,36088