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Panjit International Inc.
In magazzino: 4 200
Prezzo unitario : € 1,44000
Scheda tecnica
Canale N 100 V 6,3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
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PJQ4476AP_R2_00001

Codice DigiKey
3757-PJQ4476AP_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJQ4476AP_R2_00001
Descrizione
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 6,3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
31 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1519 pF @ 30 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 62W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
DFN3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
25mohm a 15A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
PJQ4476AP-AU_R2_000A1Panjit International Inc.4 2003757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1CT-ND€ 1,44000Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,33492€ 1 674,60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,33492
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,40860