Name: PJQ4443P_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

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PJQ4443P_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ4443P_R2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ4443P_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ4443P_R2_00001
Descrizione	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 8,8A (Ta), 46A (Tc) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2767 pF @ 25 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,8A (Ta), 46A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 10A, 10V	Codice componente base PJQ4443