Name: PJQ4443P_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

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PJQ4443P_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ4443P_R2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ4443P_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ4443P_R2_00001
Descrizione	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 8,8A (Ta), 46A (Tc) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,8A (Ta), 46A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	12mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2767 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 59,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	PJQ4443