Canale N 650 V 19 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
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Canale N 650 V 19 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Understanding PANJIT Medium Voltage & Super Junction MOSFET Datasheet - AN-PJ1003

PJMB210N65EC_R2_00601

Codice DigiKey
3757-PJMB210N65EC_R2_00601TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
3757-PJMB210N65EC_R2_00601DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Panjit International Inc.
Codice produttore
PJMB210N65EC_R2_00601
Descrizione
650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 19 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Panjit International Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
19 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
210mohm a 9,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1412 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
PJMB210
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,30000€ 2,30
10€ 1,48300€ 14,83
100€ 1,01750€ 101,75
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,77418€ 619,34
1 600€ 0,71736€ 1 147,78
2 400€ 0,68842€ 1 652,21
4 000€ 0,67191€ 2 687,64
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,80600