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PJD85N03_L2_00001 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 3757-PJD85N03_L2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PJD85N03_L2_00001 |
Descrizione | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
Tempi di consegna standard del produttore | 52 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 16A (Ta), 85A (Tc) 2W (Ta), 58W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 4.5 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2436 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 58W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,8mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PJD85N03-AU_L2_000A1 | Panjit International Inc. | 0 | 3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR-ND | € 0,35665 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,22617 | € 678,51 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,22617 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,27593 |
