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Toshiba Semiconductor and Storage
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Scheda tecnica

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Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW A montaggio superficiale SSMINI6-F1
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UP0439000L

Codice DigiKey
UP0439000LTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
UP0439000L
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW A montaggio superficiale SSMINI6-F1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Panasonic Electronic Components
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kohm, 10kohm
Resistore - Base emettitore (R2)
47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 5mA, 10V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
250mV a 300µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
150MHz, 80MHz
Potenza - Max
125mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore
SSMINI6-F1
Codice componente base
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