WPB4002-1E onsemi | FET, MOSFET singoli

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WPB4002-1E
Codice DigiKey	WPB4002-1E-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	WPB4002-1E
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 23 A (Ta) 2,5W (Ta), 220W (Tc) Foro passante TO-3P-3L
Modelli EDA/CAD	WPB4002-1E Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 84 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 30 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 220W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-3P-3L
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-3P-3, SC-65-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base WPB40
RDSon (max) a Id, Vgs 360mohm a 11,5 A, 10V

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