SVD5865NLT4G è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

NVD5C684NLT4G
onsemi
In magazzino: 1 813
Prezzo unitario : € 2,22000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
Canale N 60 V 10 A (Ta), 46 A (Tc) 3,1W (Ta), 71W (Tc) A montaggio superficiale DPAK-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 60 V 10 A (Ta), 46 A (Tc) 3,1W (Ta), 71W (Tc) A montaggio superficiale DPAK-3
TO-252-3

SVD5865NLT4G

Codice DigiKey
488-SVD5865NLT4GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
SVD5865NLT4G
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 10 A (Ta), 46 A (Tc) 3,1W (Ta), 71W (Tc) A montaggio superficiale DPAK-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Ta), 46 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 19A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SVD5865
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.