Name: SPZT751T1G
Brand: onsemi
SKU: SPZT751T1GOSTR-ND
Price: 1.5128 EUR
Availability: InStock

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SPZT751T1G
Codice DigiKey	SPZT751T1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPZT751T1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPZT751T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SPZT751T1G
Descrizione	TRANS PNP 60V 2A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 60 V 2 A 75MHz 800 mW A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPZT751T1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 75 a 1A, 2V
Produttore onsemi	Potenza - Max 800 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 75MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor PNP	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 2 A	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-223 (TO-261)
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 500mV a 200mA, 2A	Codice componente base SPZT751
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BCP5216H6327XTSA1	Infineon Technologies	240 075	BCP5216H6327XTSA1-ND	€ 4,40958	Diretto

In magazzino: 255

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 0,34743	€ 347,43
2 000	€ 0,31847	€ 636,94

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,24000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,51280

SPZT751T1G