Name: SBC847BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: SBC847BPDW1T3GOSTR-ND
Price: 0.244 EUR
Availability: InStock

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SBC847BPDW1T3G
Codice DigiKey	SBC847BPDW1T3GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SBC847BPDW1T3GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SBC847BPDW1T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SBC847BPDW1T3G
Descrizione	TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
Tempi di consegna standard del produttore	43 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP 45V 100mA 100MHz 380mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SBC847BPDW1T3G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Potenza - Max 380mW
Produttore onsemi	Frequenza - Transizione 100MHz
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 45V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 600mV a 5mA, 100mA / 650mV a 5mA, 100mA	Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Interruzione collettore (max) 15 nA (ICBO)	Codice componente base SBC847
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 a 2mA, 5V

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