Name: RFD3055LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD3055LESM9ATR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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RFD3055LESM9A
Codice DigiKey	RFD3055LESM9ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) RFD3055LESM9ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RFD3055LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	RFD3055LESM9A
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11 A (Tc) 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	107mohm a 8A, 5V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	350 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	RFD3055