
NXV08A170DB2 | |
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Codice DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NXV08A170DB2 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Tempi di consegna standard del produttore | 45 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 200A (Tj) Foro passante |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 80V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 200A (Tj) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 195nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 14000pF @ 40V | |
Potenza - Max | - | |
Temperatura di funzionamento | 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q100 | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore/involucro | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) | |
Contenitore del fornitore | APM12-CBA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 17,21000 | € 17,21 |
| 10 | € 12,32600 | € 123,26 |
| 288 | € 9,71663 | € 2 798,39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 17,21000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 20,99620 |


