MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 338A (Tc) 1,098W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
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NXH004P120M3F2PNG

Codice DigiKey
5556-NXH004P120M3F2PNG-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
NXH004P120M3F2PNG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 338A (Tc) 1,098W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Vassoio
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
338A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 200A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,4V a 120mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
876nC a 20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
16410pF a 800V
Potenza - Max
1,098W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
36-PIM (56,7x62,8)
Codice componente base
NXH004
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