Name: NVTFS5124PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5124PLTWGOSTR-ND
Price: 1.2322 EUR
Availability: InStock

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NVTFS5124PLTWG
Codice DigiKey	NVTFS5124PLTWGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVTFS5124PLTWGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVTFS5124PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVTFS5124PLTWG
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2,4 A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVTFS5124PLTWG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 250 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 18W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,4 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 8-WDFN (3,3x3,3)
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base NVTFS5124