Name: NVTFS5116PLWFTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND
Price: 2.257 EUR
Availability: InStock

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NVTFS5116PLWFTWG
Codice DigiKey	488-NVTFS5116PLWFTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVTFS5116PLWFTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVTFS5116PLWFTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVTFS5116PLWFTWG
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVTFS5116PLWFTWG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1258 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-WDFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Codice componente base	NVTFS5116