Equivalente parametrico
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NVTFS4C08NWFTAG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NVTFS4C08NWFTAGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVTFS4C08NWFTAGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVTFS4C08NWFTAGDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVTFS4C08NWFTAG |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 17 A (Ta) 3,1W (Ta), 31W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NVTFS4C08NWFTAG Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 18.2 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1113 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 31W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore 8-WDFN (3,3x3,3) |
RDSon (max) a Id, Vgs 5,9mohm a 30A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | 4 950 | 488-NVTFS4C08NTWGCT-ND | € 1,63000 | Equivalente parametrico |
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | 2 765 | 296-39997-1-ND | € 0,86000 | Simile |
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | 3 976 | 296-38462-1-ND | € 1,74000 | Simile |
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | 3 622 | RQ3E130BNTBCT-ND | € 0,76000 | Simile |
| SIS322DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1 366 | SIS322DNT-T1-GE3CT-ND | € 0,91000 | Simile |





