Canale N 30 V 17 A (Ta) 3,1W (Ta), 31W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
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NVTFS4C08NTWG

Codice DigiKey
488-NVTFS4C08NTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVTFS4C08NTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVTFS4C08NTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVTFS4C08NTWG
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 17 A (Ta) 3,1W (Ta), 31W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NVTFS4C08NTWG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5,9mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1113 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-WDFN (3,3x3,3)
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Codice componente base
NVTFS4
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,54000€ 1,54
10€ 0,97900€ 9,79
100€ 0,65740€ 65,74
500€ 0,51950€ 259,75
1 000€ 0,47513€ 475,13
2 000€ 0,47455€ 949,10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,39746€ 1 987,30
10 000€ 0,38770€ 3 877,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,54000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,87880