Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.8568 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMTS1D2N08H
Codice DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMTS1D2N08H
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMTS1D2N08H Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 147 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10100 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1mohm a 90A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 590µA	Codice componente base NVMTS1

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 2,47436	€ 7 423,08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 6,44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 7,85680

NVMTS1D2N08H