Name: NVMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D7N04CTXGOSTR-ND
Price: 10.5774 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D7N04CTXG
Codice DigiKey	NVMTS0D7N04CTXGOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMTS0D7N04CTXGOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMTS0D7N04CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMTS0D7N04CTXG
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 51A (Ta), 430A (Tc) 3,9W (Ta), 273W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 140 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9281 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,9W (Ta), 273W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 51A (Ta), 430A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
RDSon (max) a Id, Vgs 0,67mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base NVMTS0

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 3,67136	€ 11 014,08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 8,67000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 10,57740

NVMTS0D7N04CTXG