Name: NVMJST0D9N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND
Price: 3.477 EUR
Availability: InStock

Canale N 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale 10-TCPAK

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NVMJST0D9N04CTXG
Codice DigiKey	488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMJST0D9N04CTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMJST0D9N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMJST0D9N04CTXG
Descrizione	TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) A montaggio superficiale 10-TCPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMJST0D9N04CTXG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	531A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,07mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 190µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	555W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	10-TCPAK
Contenitore/involucro	10-PowerLSOP (larghezza 0,209", 5,30mm)
Codice componente base	NVMJST0D9

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LIMITE MAX DI ACQUISTO

Nastrato in bobina (TR):

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 2,85000	€ 2,85
10	€ 2,14000	€ 21,40
25	€ 1,96240	€ 49,06
100	€ 1,76750	€ 176,75
250	€ 1,67452	€ 418,63
500	€ 1,61842	€ 809,21
1 000	€ 1,57228	€ 1 572,28