Canale N 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
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Canale N 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
LFPAK8

NVMJS1D4N06CLTWG

Codice DigiKey
488-NVMJS1D4N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMJS1D4N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMJS1D4N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMJS1D4N06CLTWG
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
39A (Ta), 262A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,3mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 280µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
7430 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-LFPAK
Contenitore/involucro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Codice componente base
NVMJS1
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In magazzino: 2 700
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,29000€ 3,29
10€ 2,15400€ 21,54
100€ 1,51030€ 151,03
500€ 1,34042€ 670,21
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 1,09511€ 3 285,33
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,29000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,01380