MOSFET - Array 100V 7,4A (Ta), 28A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
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MOSFET - Array 100V 7,4A (Ta), 28A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
8 LFPAK

NVMJD027N10MCLTWG

Codice DigiKey
488-NVMJD027N10MCLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMJD027N10MCLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMJD027N10MCLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMJD027N10MCLTWG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore
44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 7,4A (Ta), 28A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,4A (Ta), 28A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 38µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9,9nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
697pF a 50V
Potenza - Max
3,1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Contenitore del fornitore
8-LFPAK
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,94000€ 1,94
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,52197€ 1 565,91
6 000€ 0,50076€ 3 004,56
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,94000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,36680