Name: NVMJD012N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJD012N06CLTWGTR-ND
Price: 1.647 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMJD012N06CLTWG
Codice DigiKey	488-NVMJD012N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMJD012N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMJD012N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMJD012N06CLTWG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 11.5A 8LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 11,5A (Ta), 42A (Tc) 3,2W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMJD012N06CLTWG Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,5nC a 10V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 792pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,2W (Ta), 42W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,5A (Ta), 42A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-1205, 8-LFPAK56
RDSon (max) a Id, Vgs 11,9mohm a 25A, 10V	Contenitore del fornitore 8-LFPAK
Vgs(th) max a Id 2,2V a 30µA	Codice componente base NVMJD012

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,64632	€ 1 938,96
6 000	€ 0,63242	€ 3 794,52

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,64700

NVMJD012N06CLTWG