MOSFET - Array 100V 11,8A (Ta), 62A (Tc) 3,1W (Ta), 84W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
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MOSFET - Array 100V 11,8A (Ta), 62A (Tc) 3,1W (Ta), 84W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
8 LFPAK

NVMJD010N10MCLTWG

Codice DigiKey
488-NVMJD010N10MCLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMJD010N10MCLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMJD010N10MCLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NVMJD010N10MCLTWG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 11.8A 8LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore
44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 11,8A (Ta), 62A (Tc) 3,1W (Ta), 84W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26,4nC a 10V
Produttore
onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1795pF a 50V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Potenza - Max
3,1W (Ta), 84W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Grado
Automobilistico
Configurazione
2 canali N (doppio)
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,8A (Ta), 62A (Tc)
Contenitore/involucro
SOT-1205, 8-LFPAK56
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 17A, 10V
Contenitore del fornitore
8-LFPAK
Vgs(th) max a Id
3V a 97µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,92000€ 2,92
10€ 1,90200€ 19,02
100€ 1,31880€ 131,88
500€ 1,06976€ 534,88
1 000€ 1,04467€ 1 044,67
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,85349€ 2 560,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,92000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,56240