Name: NVMFS6H824NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H824NT1GOSTR-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

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NVMFS6H824NT1G
Codice DigiKey	NVMFS6H824NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFS6H824NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFS6H824NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H824NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 19A (Ta), 103A (Tc) 3,8W (Ta), 115W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19A (Ta), 103A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 140µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2470 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NVMFS6