Name: NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NT1GOSTR-ND
Price: 3.9528 EUR
Availability: InStock

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NVMFS6H818NT1G
Codice DigiKey	NVMFS6H818NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFS6H818NT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFS6H818NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS6H818NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 20 A (Ta), 123 A (Tc) 3,8W (Ta), 136W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMFS6H818NT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 136W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta), 123 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 3,7mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 4V a 190µA	Codice componente base NVMFS6

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In magazzino: 2 110

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 1,00156	€ 1 502,34
3 000	€ 0,98323	€ 2 949,69

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,24000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,95280

NVMFS6H818NT1G