Canale N 60 V 20A (Ta), 92A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C645NT1G

Codice DigiKey
488-NVMFS5C645NT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMFS5C645NT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMFS5C645NT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS5C645NT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore
45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 20A (Ta), 92A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20A (Ta), 92A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,6mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NVMFS5
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,23000€ 2,23
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 500€ 0,67685€ 1 015,27
3 000€ 0,64545€ 1 936,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,72060