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NVMFS5C612NLET1G
onsemi
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Prezzo unitario : € 4,30000
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Canale N 60 V 36 A (Ta), 235 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C612NLT3G

Codice DigiKey
NVMFS5C612NLT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS5C612NLT3G
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 36 A (Ta), 235 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
36 A (Ta), 235 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NVMFS5
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