Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND
Price: 5.2948 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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NVMFS5C612NLAFT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS5C612NLAFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5C612NLAFT1G
Descrizione	NFET SO8FL 60V
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 38 A (Ta), 250 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6660 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Grado Automobilistico
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38 A (Ta), 250 A (Tc)	Qualifica AEC-Q101
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 50A, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 1,46331	€ 2 194,97

Contenitore standard del produttore

488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,29480

NVMFS5C612NLAFT1G