Nuovo prodotto
Canale N 60 V 38 A (Ta), 250 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C612NLAFT1G

Codice DigiKey
488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMFS5C612NLAFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS5C612NLAFT1G
Descrizione
NFET SO8FL 60V
Tempi di consegna standard del produttore
42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 38 A (Ta), 250 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
-
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
38 A (Ta), 250 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
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In magazzino: 1 340
Scorte di fabbrica: 6 000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,11000€ 4,11
10€ 2,72300€ 27,23
100€ 1,93480€ 193,48
500€ 1,81364€ 906,82
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 500€ 1,48173€ 2 222,59
Contenitore standard del produttore
488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,11000€ 4,11
10€ 2,72300€ 27,23
100€ 1,93480€ 193,48
500€ 1,81364€ 906,82
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,11000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,01420