Name: NVMFS5C442NLWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C442NLWFET1GTR-ND
Price: 3.0866 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5C442NLWFET1G
Codice DigiKey	488-NVMFS5C442NLWFET1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS5C442NLWFET1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS5C442NLWFET1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5C442NLWFET1G
Descrizione	T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Tempi di consegna standard del produttore	39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 28 A (Ta), 130 A (Tc) 3,7W (Ta), 83W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3100 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Ta), 130 A (Tc)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2V a 90µA	Codice componente base NVMFS5

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In magazzino: 1 490

Scorte di fabbrica: 9 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 0,75017	€ 1 125,26
3 000	€ 0,70372	€ 2 111,16

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,08660

NVMFS5C442NLWFET1G