Canale N 40 V 38 A (Ta), 200 A (Tc) 3,8W (Ta), 110W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C430NLAFT3G

Codice DigiKey
NVMFS5C430NLAFT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS5C430NLAFT3G
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 38 A (Ta), 200 A (Tc) 3,8W (Ta), 110W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
38 A (Ta), 200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4300 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NVMFS5
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 1,14030€ 5 701,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,14030
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,39117