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RS6G120BGTB1
Rohm Semiconductor
In magazzino: 2 081
Prezzo unitario : € 3,74000
Scheda tecnica
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Canale N 40 V 31 A (Ta), 150 A (Tc) 3,7W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS5C423NLAFT1G

Codice DigiKey
488-NVMFS5C423NLAFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
488-NVMFS5C423NLAFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
488-NVMFS5C423NLAFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
onsemi
Codice produttore
NVMFS5C423NLAFT1G
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore
44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 31 A (Ta), 150 A (Tc) 3,7W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
31 A (Ta), 150 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3100 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base
NVMFS5
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 500€ 0,78616€ 1 179,24
3 000€ 0,76830€ 2 304,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,78616
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,95912