Name: NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMTR-ND
Price: 2.0252 EUR
Availability: InStock

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NVMFS5830NLWFT1G-UM
Codice DigiKey	488-NVMFS5830NLWFT1G-UMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMDKR-ND - Digi-Reel® 488-NVMFS5830NLWFT1G-UMTR-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5830NLWFT1G-UM
Descrizione	POWER MOSFET 40V, 185A, 2.3 MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 29 A (Ta) 3,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 113 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® Sfuso	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5880 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Ta)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA	Codice componente base NVMFS5

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In magazzino: 1 500

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Sfuso

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 0,80223	€ 1 203,35
3 000	€ 0,76077	€ 2 282,31

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,66000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,02520

NVMFS5830NLWFT1G-UM