Name: NVMFS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND
Price: 4.575 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMFS2D3P04M8LT1G
Codice DigiKey	488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS2D3P04M8LT1G
Descrizione	MV8 P INITIAL PROGRAM
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3,8W (Ta), 205W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMFS2D3P04M8LT1G Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	31A (Ta), 222A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,2mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 2,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	157 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5985 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,57500

NVMFS2D3P04M8LT1G