Name: NVMFD6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND
Price: 1.9276 EUR
Availability: InStock

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NVMFD6H852NLT1G
Codice DigiKey	NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFD6H852NLT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFD6H852NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD6H852NLT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 80V 7A (Ta), 25A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 10V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 521pF a 40V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,2W (Ta), 38W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7A (Ta), 25A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 25,5mohm a 10A, 10V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Vgs(th) max a Id 2V a 26µA	Codice componente base NVMFD6