Name: NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLWFT1GOSTR-ND
Price: 6.4416 EUR
Availability: OutOfStock

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NVMFD5C650NLWFT1G
Codice DigiKey	NVMFD5C650NLWFT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFD5C650NLWFT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFD5C650NLWFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD5C650NLWFT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 21 A (Ta), 111 A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 4,5V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2546pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,5W (Ta), 125W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Ta), 111 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 20A, 10V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Vgs(th) max a Id 2,2V a 98µA	Codice componente base NVMFD5